2018年，特斯拉在MODEL 3上破天荒的“一擲千金”，在主逆變器中安裝了24個(gè)由意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的碳化硅（SiC）MOSFET 功率模塊。
當(dāng)時(shí)，一塊SiC芯片的價(jià)格要比傳統(tǒng)硅芯片貴十倍左右，即使如今SiC售價(jià)有所下降，但SiC芯片的價(jià)格也是同等硅器件的數(shù)倍。
一直以來，特斯拉都是電動(dòng)汽車市場的先驅(qū)，尤其在成本控制上幾乎到了“喪心病狂”的地步，采用模塊化平臺(tái)、壓鑄一體成型后車體、優(yōu)化電池包設(shè)計(jì)、放棄激光雷達(dá)，只要能夠壓縮成本，幾乎無所不用其極。
但如此“吝嗇”的特斯拉卻愿意在幾塊小小的SiC芯片上花費(fèi)重金，究竟原因何在？就為了顯著提升續(xù)航能力。
相較于Model S上使用的IGBT模塊，Model 3所采用的SiC芯片能夠?yàn)槟孀兤鲙?-8%的效率提升，即逆變器效率從82%提升至90%，大幅改善續(xù)航能力。此外，SiC器件在高溫下表現(xiàn)更好，哪怕達(dá)到200度的高溫，也能維持正常功率，保證長時(shí)間的高效率輸出。
正是基于這些優(yōu)勢，馬斯克最終將更昂貴的碳化硅應(yīng)用到Model 3性能版上，由此帶動(dòng)了一場SiC替代傳統(tǒng)硅基器件的產(chǎn)業(yè)革命。
隨著Model 3的成功，SiC一戰(zhàn)成名，功率模塊開始迅速“上車”。
自此之后，SiC正式成為豐田、比亞迪、蔚來、通用、大眾、雷諾-日產(chǎn)-三菱等車企的重點(diǎn)布局方向。SiC這一較為生疏的名詞，也逐漸被市場所熟知。
實(shí)際上，SiC屬于第三代半導(dǎo)體，這已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生的第二次產(chǎn)業(yè)突破。
第一代即是以硅和鍺等元素為代表的單質(zhì)半導(dǎo)體材料，它的發(fā)現(xiàn)直接推動(dòng)了人類通信、航空光伏技術(shù)的發(fā)展。
雖然被稱為第一代半導(dǎo)體產(chǎn)品，但硅基半導(dǎo)體材料今日依然是產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵、磷化銦為代表，相對(duì)硅基器件具有高頻、高速的光電性能，被廣泛應(yīng)用于光電子和微電子領(lǐng)域，是制作發(fā)光二極管的關(guān)鍵襯底。
第三代半導(dǎo)體材料以SiC和氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，適用于高溫、高壓、高頻率場景，同時(shí)具有電能消耗較少的優(yōu)勢。
值得注意的是，三代半導(dǎo)體之間并非彼此完全替代的關(guān)系，而是更類似于相互補(bǔ)充。每一代產(chǎn)品之間均有著各自的優(yōu)勢，僅在部分場景實(shí)現(xiàn)對(duì)傳統(tǒng)產(chǎn)品的替換。
例如SiC耐高壓，材料擊穿電場強(qiáng)度是硅的10倍；同時(shí)熱導(dǎo)率比硅更高，對(duì)散熱的要求更低；適用高頻場景，碳化硅的飽和電子漂移速率是硅的2倍，這決定了碳化硅器件可以實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率和更高的功率密度。
這意味著，SiC可以減少能耗損失，提高能源轉(zhuǎn)化效率，SiC材料能夠?qū)崿F(xiàn)在射頻器件和功率器件上對(duì)硅基材料的性能完美替代。
在此之前，硅基IGBT統(tǒng)治了高壓高電流場景，而硅基MOSFET效率遠(yuǎn)不如IGBT，僅適用于低壓場景。不過，硅基IGBT也存在一些缺點(diǎn)，比如無法承受高頻工況、功耗較大等。
SiC出現(xiàn)后，由于具備耐高壓、耐高頻的特性，因此僅用結(jié)構(gòu)更簡單的MOSFET器件就能覆蓋現(xiàn)在IGBT耐壓水平，同時(shí)規(guī)避硅基IGBT的缺點(diǎn)，耗能更少。數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示，相同規(guī)格的碳化硅基 MOSFET較硅基 IGBT 的總能量損耗可大大降低 70%。
正是因此在Model 3上的成功，讓第三代半導(dǎo)體迅速商業(yè)化落地，由此也讓資本市場注意到了小小元器件的價(jià)值。
盡管SiC存在諸多性能上的優(yōu)勢，但明顯過高的成本依然限制了它的全面應(yīng)用。
硅晶圓制造工藝成熟，硅基器件成本極低。與之相對(duì)，目前商用SiC襯底制備需要用到物理氣相傳輸法（簡稱PVT法），這種方法需要極高溫度，同時(shí)生長周期長、控制難度大，良品率低。此外，SiC硬度極高且脆性高，切割耗時(shí)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于普通硅片。
這些原因綜合起來，造成了碳化硅的高成本難題。
目前來看，SiC器件成本仍是硅基產(chǎn)品數(shù)倍。但考慮到SiC器件的低能耗優(yōu)勢，以及量產(chǎn)和技術(shù)成熟帶來的成本下降趨勢，在新能源時(shí)代，SiC即將迎來屬于它的性價(jià)比“奇點(diǎn)時(shí)刻”。
新能源時(shí)代將是SiC的大舞臺(tái)。在新能源汽車行業(yè)，SiC可用于驅(qū)動(dòng)和控制電機(jī)的逆變器、車載充電器和快速充電樁等。
在逆變器上，一輛使用SiC功率器件的電動(dòng)汽車，在同等電池條件下，續(xù)航能夠提升5-10%。這也是目前碳化硅在新能源汽車應(yīng)用最多的市場。而在充電和快充領(lǐng)域，隨著成本的降低，碳化硅器件的應(yīng)用也在逐漸深入。
此前，小鵬布局的800V高壓快充平臺(tái)，即配置SiC芯片，用以在高壓場景中發(fā)揮關(guān)鍵性能。
與此同時(shí)，新能源革命還帶來了更多應(yīng)用場景，光電、風(fēng)電等不規(guī)律發(fā)電模式，以及配套的儲(chǔ)能體系，將成為SiC器件有待開發(fā)的龐大市場。
如在光伏發(fā)電上，目前光伏逆變器龍頭企業(yè)已采用SiC功率器件替代硅器件。新基建中，特高壓輸電工程對(duì)SiC器件具有重大需求。
廣而言之，未來SiC將在固態(tài)變壓器、柔性交流輸電、高壓直流輸電及配電系統(tǒng)等應(yīng)用方面推動(dòng)智能電網(wǎng)的發(fā)展和變革。
據(jù)Yole預(yù)測，SiC器件應(yīng)用空間將從2020年的6億美金快速增長至2030年的100億美金。華為預(yù)計(jì)，在2030年光伏逆變器的SiC滲透率將從目前的2%增長至70%以上，在充電基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車領(lǐng)域的滲透率超過80%，通信電源、服務(wù)器電源將全面推廣應(yīng)用。
樂觀估計(jì)，屬于SiC的大時(shí)代即將來臨。
從更高維度分析，以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料，有望成為中國半導(dǎo)體行業(yè)的突破口。
以硅基IGBT為例，全球IGBT等元器件目前仍以英飛凌、安森美、三菱、富士等為主。數(shù)據(jù)顯示，2019年IGBT模組市場份額CR10占比81.10%，其中僅斯達(dá)半導(dǎo)為國內(nèi)企業(yè)，占比僅2.50%。
雖然在新能源汽車IGBT細(xì)分領(lǐng)域上，斯達(dá)半導(dǎo)和比亞迪等企業(yè)市場份額占比較大。但在全球硅片產(chǎn)能整體受限的情況下，IGBT產(chǎn)品配額十分匱乏，國產(chǎn)化替代步伐并不算快。
而SiC跳出了硅片大局，并不受制于全球硅片產(chǎn)能問題。更重要的是，全球第三代半導(dǎo)體目前總體處于發(fā)展初期階段，國內(nèi)企業(yè)與國際巨頭差距并不大。
縱觀整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈，SiC的下游工藝制程具有更高的包容性和寬容度，制造環(huán)節(jié)對(duì)設(shè)備要求相對(duì)較低，投資額相對(duì)較小，主要關(guān)鍵之一在上游材料端。
國際巨頭具有領(lǐng)先優(yōu)勢，如現(xiàn)已更名Wolfspeed的科銳公司，已經(jīng)完成碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的覆蓋，能夠量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。
雖然目前國內(nèi)企業(yè)僅能生產(chǎn)4英寸和6英寸襯底，但從它們的量產(chǎn)時(shí)間上看，落后國際巨頭的時(shí)間由10年以上縮短至7年，差距正在不斷縮小。
以全球半絕緣型SiC（即用做氮化鎵射頻器件襯底）市場市場份額看，2020年美國科銳和貳陸公司市場份額分別為33%和35%，而山東天岳市場份額已達(dá)30%，排名全球第三。
山東天岳在半絕緣型碳化硅市場上份額逼近國際巨頭
在導(dǎo)電性SiC晶片（即用作功率器件襯底）上，國際巨頭優(yōu)勢較大，但國內(nèi)企業(yè)也在努力追趕。2018年，國內(nèi)天科合達(dá)和山東天岳市場份額分別為1.7%和0.5%，天科合達(dá)排名全球第六。
新能源大時(shí)代，國內(nèi)是最大的新能源汽車市場，更是最大的能源使用國之一，在此催化下，國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)鏈有望實(shí)現(xiàn)更快發(fā)展，甚至成為我國在半導(dǎo)體行業(yè)的突破口。
顯而易見，SiC產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)成為資本熱捧的風(fēng)口。
由上至下，SiC產(chǎn)業(yè)鏈可以分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié)。
襯底環(huán)節(jié)，山東天岳、天科合達(dá)已經(jīng)成為國內(nèi)龍頭，其中，山東天岳科創(chuàng)板IPO已獲通過，將成為碳化硅襯底第一股。其他公司方面，天科合達(dá)申請(qǐng)主動(dòng)終止了IPO申請(qǐng)，河北同光晶體也傳出科創(chuàng)板IPO計(jì)劃。
在外延和器件環(huán)節(jié)，市場參與者眾多。外延環(huán)節(jié)主要有瀚天天成、東莞天域等，器件環(huán)節(jié)有泰科天潤、中車時(shí)代電氣、綠能芯創(chuàng)、上海瞻芯等企業(yè)，同時(shí)覆蓋這兩個(gè)環(huán)節(jié)的更有中電科十三所、中電科五十五所、基本半導(dǎo)體等。
風(fēng)口之下，SiC也已成為國內(nèi)上市公司投資布局重點(diǎn)方向。
目前，三安光電已宣布總投資160億元，將打造國內(nèi)首條、全球第三條SiC垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，覆蓋襯底、外延和器件三大環(huán)節(jié)。這種模式目前僅科銳和羅姆兩大公司采用，其他國際巨頭們也正在通過投資并購等方式實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈布局。
露笑科技計(jì)劃總投資100億布局SiC產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，目前已經(jīng)開啟6英寸導(dǎo)電性SiC襯底小批量試生產(chǎn)；光伏晶體設(shè)備生產(chǎn)商晶盛機(jī)電也宣布31.34億元投資SiC襯底晶片生產(chǎn)基地項(xiàng)目，設(shè)計(jì)產(chǎn)能年產(chǎn)40萬片6英寸及以上尺寸的導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底晶片；鳳凰光學(xué)碳化硅外延材料也已具備量產(chǎn)能力。
此外，華潤微、斯達(dá)半導(dǎo)等半導(dǎo)體企業(yè)也在布局SiC襯底和器件環(huán)節(jié)。其中，華潤微SiC產(chǎn)品即將發(fā)布。
SiC也迎來科技巨頭密集押注。據(jù)山東天岳招股書，華為旗下哈勃投資是山東天岳第四大股東，發(fā)行后持有6.34%股權(quán)；同時(shí)，哈勃投資也是天科合達(dá)第四大股東，IPO終止前持有4.82%股權(quán)。除此之外，華為還投資了瀚天天成以及東莞天域兩大碳化硅外延龍頭企業(yè)。
此外，小米旗下湖北小米長江產(chǎn)業(yè)基金也在今年10月底投資SiC器件企業(yè)上海瞻芯，持股6.80%；TCL資本參與了SiC器件企業(yè)泰科天潤的D輪融資。
可以看到，SiC已經(jīng)成為科技巨頭和資本布局的重點(diǎn)方向。隨著核心技術(shù)路線更為成熟，其降成本路徑已經(jīng)顯現(xiàn)，在新能源大局和國產(chǎn)半導(dǎo)體崛起契機(jī)下，SiC有望開啟千億級(jí)藍(lán)海市場。
本文來自微信公眾號(hào)“芯鋰話”（ID:ddxinsanban），作者：董武英，編輯：林曉晨，36氪經(jīng)授權(quán)發(fā)布。
